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文章对采用平面光波导技术的单纤三向器件（Triplexer）芯片结构的参数进行了优化设计，对单元结构的光谱响应进行了模拟计算。通过数值模拟分析了结构的工艺容差性。结果表明，采用双模耦合器和M—Z干涉仪结构可以得到工艺容差性高、光谱响应优良的适用的Triplexer器件。
单纤三向器件平面光波导芯片结构优化设计
【摘 要】
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文章对采用平面光波导技术的单纤三向器件（Triplexer）芯片结构的参数进行了优化设计，对单元结构的光谱响应进行了模拟计算。通过数值模拟分析了结构的工艺容差性。结果表明，采用
【机 构】
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武汉理工大学机电工程学院
【出 处】
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光通信研究
【发表日期】
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2007年4期
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