【摘 要】
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日本三菱电机公司已用薄膜SIMOX衬底研制成适用于0.5μm级以下的下一代门阵列的新结构。在SIMOX衬底上采用场屏蔽分离结构制作固定村,制作固定衬底电位SOG(SeaofGate)型的门阵列,
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日本三菱电机公司已用薄膜SIMOX衬底研制成适用于0.5μm级以下的下一代门阵列的新结构。在SIMOX衬底上采用场屏蔽分离结构制作固定村,制作固定衬底电位SOG(SeaofGate)型的门阵列,与在通常Si衬底相比,可实现高速、低耗散功率。这种结构,不会增加芯片面积,由于固定衬底电
Mitsubishi Electric Corporation has developed a thin film SIMOX substrate into a new structure suitable for next-generation gate arrays below 0.5μm. A fixed-field SEG (SeaofGate) type gate array is fabricated on a SIMOX substrate by using a field shield separation structure to fabricate a gate array of a SOG (SeaofGate) type, which achieves high-speed, low-power dissipation compared with a typical Si substrate. This structure does not increase the chip area due to the fixed substrate
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