【摘 要】
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由于工作需要,从对探测器耗尽深度和工作电场的要求出发,我们使用了结构如图1的金硅面垒型半导体探测器。对这种探测器进行检验时,发现了与一般硅面垒探测器(非全耗尽的)不
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由于工作需要,从对探测器耗尽深度和工作电场的要求出发,我们使用了结构如图1的金硅面垒型半导体探测器。对这种探测器进行检验时,发现了与一般硅面垒探测器(非全耗尽的)不同的反常现象,即双峰现象和反偏压效应。一、特殊结构的金硅面垒型探测器
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