非晶SiO2薄膜中氧双键缺陷电子及光学特性的第一性原理研究

来源 :原子与分子物理学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：binga2009

【摘要】

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利用第一性原理对离子溅射沉积的非晶SiO2薄膜微观结构进行了分析、研究,结果表明,氧双键缺陷( SGs)可以作为体缺陷稳定存在于非晶SiO2中,SGs缺陷导致非晶SiO2薄膜材料禁带中

【作者】

：

刘新单凡陈仙陈帛雄任旭升张爱民

【机构】

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西安飞行自动控制研究所,西安,710065西安交通大学,西安,710049;

【出处】

：

原子与分子物理学报

【发表日期】

：

2015年5期

【关键词】

：

非晶SiO2 薄膜氧双键缺陷第一性原理吸收光谱

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利用第一性原理对离子溅射沉积的非晶SiO2薄膜微观结构进行了分析、研究,结果表明,氧双键缺陷( SGs)可以作为体缺陷稳定存在于非晶SiO2中,SGs缺陷导致非晶SiO2薄膜材料禁带中引入了新的电子态,减小了禁带宽度；同时采用时相关密度泛函理论( TDDFT)对其光学特性进行了研究,得到非晶SiO2薄膜介电常数与入射光子能量间的关系曲线,从介电常数的虚部发现SGs缺陷在3．6 eV处存在一个光学吸收峰．

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