【摘 要】
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采用旋涂法制备了高质量的聚酰亚胺薄膜,研究了薄膜厚度与旋涂转速之间的关系;对不同厚度的旋涂薄膜进行了电击穿实验,探讨了膜厚对击穿性能的影响。结果表明:聚酰亚胺薄膜的
【机 构】
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大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室,大连理工大学辽宁省微纳米及系统重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(51675085;51475081)
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采用旋涂法制备了高质量的聚酰亚胺薄膜,研究了薄膜厚度与旋涂转速之间的关系;对不同厚度的旋涂薄膜进行了电击穿实验,探讨了膜厚对击穿性能的影响。结果表明:聚酰亚胺薄膜的厚度与旋转速度平方根的倒数(ω-1/2)呈线性正相关,通过控制转速可获得不同膜厚;薄膜越厚,击穿电压越高,但其平均击穿强度越低。在280℃的亚胺化条件下,旋涂薄膜的最高击穿电压为2 370 V,最大击穿场强为286. 33 k V/mm,可满足大多数微系统对绝缘性能的要求。
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