二维非等温的分布晶体管模型

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木文提出了一个考虑了晶体管热电反馈效应的分布晶体管直流模型,称之为“二维非等温的分布晶体管模型”. 本模型考虑了基区高注入效应、Kirk效应以及由内基区电阻、发射极金属化电极薄层电阻所引起的电流横向及纵向集边效应,并计入了晶体管内温度分布的不均匀性对上述诸效应的影响. 借助计算机,利用下降法求解了描述本模型热电特性的非线性方程组,计算结果给出了晶体管发射区内温度、电流的二维分布数值,从而得到了晶体管热电反馈效应的定量描述,且理论结果与实验吻合良好. 利用本模型可进行功率晶体管的计算机辅助设计,预测功率晶体管的安全工作区并指导器件的可靠性设计. Mu Wen proposed a distributed transistor DC model that takes into account the thermoelectric feedback effect of the transistor, which is called “two-dimensional non-isothermal distribution transistor model.” This model considers the high-base injection effect, the Kirk effect, Emitter lateral metallization electrode sheet resistance caused by the horizontal and vertical edge-collecting effect, and includes the temperature distribution of the transistor inhomogeneity on the effects of the above.Using the computer, using the descent method to solve the description of the model thermoelectric Characteristics of the nonlinear equations, the calculation results give the two-dimensional distribution of temperature and current in the emitter region of the transistor, and thus a quantitative description of the thermoelectric feedback effect of the transistor is obtained, and the theoretical result is in good agreement with the experiment. Using this model, the power Computer-aided design of transistors to predict the safe working area of ​​a power transistor and guide the reliability design of the device.
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