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脉冲多弧离子源的研制
脉冲多弧离子源的研制
来源 :光学仪器 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zhenlijinping
【摘 要】
:
脉冲多弧离子源主要用来镀制类金刚石薄膜及金属、合金膜、研究了脉冲多弧离子源的引弧方法、放电的稳定性、离子源结构对镀膜均匀性的影响。在此基础上,研制了脉冲多弧离子源
【作 者】
:
严一心
杭凌侠
【机 构】
:
西安工业学院
【出 处】
:
光学仪器
【发表日期】
:
1999年4期
【关键词】
:
脉冲多弧
离子源
离子镀
薄膜
研制
Pulsed Multiarc
Ion Source
Ion Plating
Thin Film.
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脉冲多弧离子源主要用来镀制类金刚石薄膜及金属、合金膜、研究了脉冲多弧离子源的引弧方法、放电的稳定性、离子源结构对镀膜均匀性的影响。在此基础上,研制了脉冲多弧离子源,利用该源镀制了类金刚石薄膜及镍铬铁合金渐变膜。经测试,膜层性能良好。
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