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对液相外延生长的双沟平面掩埋异质结(DCPBH)结构超辐射发光二极管(SLD)双沟内漏电现象进行了理论分析与定量计算。在此基础上通过优化外延结构设计与液相生长参数，得到了电流限制较理想的DCPBH结构。
双沟平面掩埋结构SLD的液相外延生长及漏电分析
【摘 要】
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对液相外延生长的双沟平面掩埋异质结(DCPBH)结构超辐射发光二极管(SLD)双沟内漏电现象进行了理论分析与定量计算。在此基础上通过优化外延结构设计与液相生长参数，得到了电流限制较理想的DCPBH结构。
【机 构】
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重庆大学物理学院应用物理系，重庆400044重庆光电技术研究所，重庆400060
【出 处】
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半导体光电
【发表日期】
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2012年33期
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