【摘 要】
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为研制ＺｎＳｅ基蓝绿色半导体激光器，必须能够对组成激光器的各单元材料实现精确控制生长，包括材料的晶体质量、掺杂浓度和生长速度等．ＺｎＳｅ是制备蓝绿激光器的基础材料，本文报道利用 ＭＢＥ技术对
【机 构】
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为研制ＺｎＳｅ基蓝绿色半导体激光器，必须能够对组成激光器的各单元材料实现精确控制生长，包括材料的晶体质量、掺杂浓度和生长速度等．ＺｎＳｅ是制备蓝绿激光器的基础材料，本文报道利用 ＭＢＥ技术对 ＺｎＳｅ材料进行生长控制和掺杂控制的初步研究结果．
In order to develop ZnSe-based blue-green semiconductor lasers, it is necessary to be able to precisely control the growth of each unit material constituting the laser, including the crystal quality, doping concentration and growth rate of the material. ZnSe is the basic material for the preparation of blue-green laser. This paper reports the preliminary results of the growth control and doping control of ZnSe material by MBE technology.
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