氨化合成一维GaN纳米线

来源 :稀有金属材料与工程 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yunzh

【摘要】

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用氨化溅射Ga2O3薄膜的方法,成功地合成了一维GaN纳米线.用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和高分辨电镜(HRTEM)对样品进行了分析.生成的GaN纳米线平直光滑,

【作者】

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王显明杨利王翠梅薛成山

【机构】

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山东师范大学

【出处】

：

稀有金属材料与工程

【发表日期】

：

2004年6期

【关键词】

：

氨化 Ga2O3薄膜 GAN纳米线射频磁控溅射 ammoniating Ga2O3 thin film GaN nanowires rfmagnetro

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用氨化溅射Ga2O3薄膜的方法,成功地合成了一维GaN纳米线.用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和高分辨电镜(HRTEM)对样品进行了分析.生成的GaN纳米线平直光滑,其直径为20 nm～90 nm,长可达50 μm;纳米线为高质量的单晶六方纤锌矿GaN,沿[110]方向生长.用此工艺制备GaN纳米线,避免了在制备过程中引入杂质,合成的纳米线纯度较高.

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