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用直流磁控溅射系统在不同气压和氩氧流量比（V（Ar）：V（O2），体积比）下制备铟锡氧化物（ITO）薄膜。测试了薄膜的方阻和透过率，得到不同沉积气压和V（Ar）：V（O2）对薄膜电光特性的影响大小和趋势。X-射线衍射（XRD）测试表明ITO薄膜的晶粒尺寸随膜内氧的摩尔分数增加而增大，随氧气比例增加薄膜（400）晶向消失。优化参数为气压266．664mPaV（Ar）：V（O2）=15：0，制备的ITO薄膜方阻为22Ω／□，在可见光区域平均透过率为85％。