沉积气压相关论文
采用射频反应磁控溅射系统，在K9双面抛光玻璃基底上制备氮化铝薄膜，通过实验测试并结合数值拟合计算研究了其他参数保持不变的条件下......
为研究沉积气压对VN涂层力学性能和摩擦性能的影响,采用离子镀制备VN涂层,利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜等设备检测VN涂层的物......
利用中频脉冲非平衡磁控溅射技术在载玻片上制备了类金刚石(DLC)薄膜,研究了沉积气压对薄膜厚度、微观结构、机械性能和光学性能的......
本文采用射频磁控溅射法制备了铜铟镓硒(CIGS)电池中的金属钼(Mo)背电极,通过改变溅射气压(2 mTorr-12 mTorr)和衬底温度(室温......
本文采用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）技术高速沉积优质微晶硅(μc-Si:H)薄膜。在等离子区屏蔽条件下，研究了沉积气压、射......
利用改进完善的石英钟罩式微波等离子体化学气相沉积（MWPCVD）装置考察了基片预处理、沉积气体比例、沉积气压、基片位置等工艺以MWPC......
TiO2作为一种极具前景的介质材料被应用到薄膜技术中来，引起了国内外研究者的极大兴趣。作为光学膜，TiO2薄膜在可见光区透射率高，折射......
MgO薄膜作为理想的保护层材料已经广泛应用于等离子显示技术中，其具有抗溅射、高的真空二次电子发射系数、可见光区透过率高等特点......
采用脉冲激光沉积(PLD)法在玻璃衬底上,通过调节真空室气压和热处理温度制备铜铟镓硒(CIGS)薄膜吸收层和硫化镉(CdS)薄膜缓冲层。......
CVD金刚石薄膜刀具的表面粗糙度是影响刀具切削性能的重要参数。为通过改进CVD沉积工艺减小金刚石薄膜表面粗糙度 ,提出了适当提高......
采用热丝化学气相沉积法在不同气压(1～8 Pa)下沉积了p型纳米晶硅薄膜,研究了沉积气压对薄膜晶化率和电输运性能的影响.结果表明,薄......
电弧离子镀是真空镀膜技术中最常用的技术之一,目前在科学研究及工业生产中都得到了长足发展.但是在薄膜沉积过程中的工艺参数如弧......
研究了微波化学气相沉积中沉积气压对金刚石薄膜生长速率和质量的影响.研究表明,金刚石薄膜的生长速率随沉积气压的提高而增大,生......
用直流磁控溅射系统在不同气压和氩氧流量比（V（Ar）：V（O2），体积比）下制备铟锡氧化物（ITO）薄膜。测试了薄膜的方阻和透过率，得到不同沉积气压和V......
采用磁控溅射方法制备W—S—C复合薄膜，研究沉积气压对薄膜结构和摩擦学性能的影响。结果表明，复合膜以非晶或纳米晶结构生长，沉积气......
采用脉冲激光沉积技术，在Al2O3衬底上生长GaN薄膜，利用X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）研究不同沉积温度、不同沉积压强对所生长的GaN......
采用脉冲激光沉积（PLD）方法在单晶Si衬底上制备AlN薄膜．利用扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射仪（xRD）对薄膜的形貌和微观结构进行了分析；采......
反铁磁钉扎层和铁磁被钉扎层之间的交换耦合作用是高性能自旋阀材料研究中的一个关键因素。本工作研究了 CrPtMn 顶钉扎自旋阀材料......
沉积气压对CVD金刚石涂层沉积的质量有着重要的影响。实验采用单一变量法,在其他工艺参数一定的条件下,考察了不同沉积气压下涂层......
金刚石薄膜由于其独特的性能成为研究热点。本文通过利用热丝气相沉积法（HFCVD）在基片上制备金刚石薄膜,研究对金刚石薄膜产生影响的......
采用等离子体增强化学气相沉积技术,通过改变射频功率与沉积气压两个参数来沉积非晶硅薄膜材料,并研究了变化参数对薄膜沉积速率、......
采用射频等离子体增强化学气相沉积法（RF-PECVD）,在玻璃和硅衬底上以230—310Pa之间的沉积气压生长微晶硅（μc-Si：H）薄膜。利用拉曼光谱......
期刊
采用阴极真空电弧离子沉积技术在玻璃及Si衬底上成功地制备了具有择优结晶取向的透明MgO薄膜。利用X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微......
通过正交实验设计工艺参数,利用热丝化学气相沉积法(HFCVD)制备金刚石涂层,采用扫描电镜、洛氏硬度计、X射线衍射仪等对金刚石涂层......
在射频等离子体化学气相沉积条件下,在玻璃、低碳钢、云母、单晶Si(|||)等基材上沉积TiN薄膜。试验表明,在这些基材上,在一定条件......
TiCN薄膜在刀模具领域有着广泛的应用前景,但它的结构和性能往往随制备工艺参数的不同而有较大差异。为了研究沉积气压对杂化离子......
随着导弹等快速进攻性武器的发展，对雷达的功能提出了许多新的要求。采用机械扫描方式的天线已很难适应新的作战要求。自上世纪50年......
