【摘 要】
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采用磁控溅射技术制备了 Si/ Si O2 超晶格薄膜 ,在正向偏压大于 4 V即可观测到了来自Au/ ( Si/ Si O2 超晶格 ) / p - Si结构在室温下的可见电致发光 .认为光发射主要来自于
【机 构】
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西北师范大学物理系!甘肃兰州730070,兰州大学物理科学与技术学院,甘肃兰州730000
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采用磁控溅射技术制备了 Si/ Si O2 超晶格薄膜 ,在正向偏压大于 4 V即可观测到了来自Au/ ( Si/ Si O2 超晶格 ) / p - Si结构在室温下的可见电致发光 .认为光发射主要来自于 Si O2 层中的发光中心上的复合发光 ,对实验结果进行了解释 .
The Si / Si O2 superlattice thin films were prepared by magnetron sputtering. The results from the Au / (Si / Si O2 superlattice) / p - Si structure at room temperature Electroluminescence can be seen that light emission is mainly from the luminescence center Si O2 layer of the composite luminescence, the experimental results were explained.
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