【摘 要】
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利用西安200 MeV质子应用装置进行了互补金属氧化物半导体有源像素图像传感器(CMOS APS)的质子辐照效应研究.设计了便携式暗室,解决了图像传感器质子辐照效应难以在线测量问题.实验结果表明,质子辐照在CMOS APS中产生的暗电流随质子注量呈线性增长;当质子注量小于5×1012 cm-2时,CMOS APS暗信号的非均匀性、光响应的非均匀性和不同光场强度下的平均输出值等参数的变化趋势不明显;当质子注量大于5×1012 cm-2时,这些参数会产生不同程度的增加.
【机 构】
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西安交通大学核科学与技术学院,西安710049;西北核技术研究所,西安710024;天津大学微电子学院,天津300072
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利用西安200 MeV质子应用装置进行了互补金属氧化物半导体有源像素图像传感器(CMOS APS)的质子辐照效应研究.设计了便携式暗室,解决了图像传感器质子辐照效应难以在线测量问题.实验结果表明,质子辐照在CMOS APS中产生的暗电流随质子注量呈线性增长;当质子注量小于5×1012 cm-2时,CMOS APS暗信号的非均匀性、光响应的非均匀性和不同光场强度下的平均输出值等参数的变化趋势不明显;当质子注量大于5×1012 cm-2时,这些参数会产生不同程度的增加.
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