用双π环戊二稀基锰作为新锰源,由等离子体辅助MOCVD制备ZnSe直流电致发光器件

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对光发射器件和平板显示器来说,电致发光是最有前景的方法之一。近来,人们已把ZnSe,ZnS和像CaS之类的Ⅱ_2—Ⅵ_5族化合物用做荧光物质。通常含有绝缘夹层的ZnS:Mn薄膜电致发光器件,需要非常高的工作电压,其峰值电压超过100V。和ZnS:Mh比较,目前看来,ZnSe:Mn的最大优点是工作电压非常低。ZnSe:Mn直流驱动电致发光器件可以用真空蒸发,射频溅射,分子束外延等方法来制备。但是当虑及生产大面积电致发 For light emitting devices and flat panel displays, electroluminescence is one of the most promising methods. Recently, ZnSe, ZnS, and Group II_2-Ⅵ_5 compounds such as CaS have been used as fluorescent substances. ZnS: Mn thin film electroluminescent devices, which usually contain an insulating interlayer, require very high operating voltages with peak voltages in excess of 100V. Compared with ZnS: Mh, it seems that the biggest advantage of ZnSe: Mn is that the operating voltage is very low. ZnSe: Mn DC-driven electroluminescent devices can be prepared by vacuum evaporation, RF sputtering, molecular beam epitaxy and other methods. But when it comes to producing large areas of electroporation
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