【摘 要】
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用密度泛函理论平面波赝势方法及广义梯度近似研究(C2)/(BN)2×1超结构在高压下的电子特性和光学性质,并计算模拟其能带结构与光学性能随压强的变化规律.结果表明:随着外
【机 构】
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四川师范大学物理与电子工程学院,成都职业技术学院信息科学技术研究院
【基金项目】
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四川省教育厅自然科学重点项目(16ZA0052和15ZA0033).
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用密度泛函理论平面波赝势方法及广义梯度近似研究(C2)/(BN)2×1超结构在高压下的电子特性和光学性质,并计算模拟其能带结构与光学性能随压强的变化规律.结果表明:随着外界压强的增大,该物质的禁带宽度略有展宽.当压强从0增至100 GPa时,禁带宽度值从2.353eV增加到2.438eV,相对增加值为3.48%.从态密度图上可以看出,由于(C2)/(BN)2×1的s轨道和p轨道杂化程度较高,该结构处于稳定状态.根据介电函数可知,随着压力的增大该物质的本征吸收限略显蓝移,这与禁带宽度随压
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