【摘 要】
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非晶半导体有可能成为一种新型的电子材料,最近引起了人们很大的注意,在应用方面,都已经发表了用非晶Si制成的效率为5.5％的薄膜太阳电池等文章。本文介绍非晶Ge或非晶PbTe与晶
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非晶半导体有可能成为一种新型的电子材料,最近引起了人们很大的注意,在应用方面,都已经发表了用非晶Si制成的效率为5.5％的薄膜太阳电池等文章。本文介绍非晶Ge或非晶PbTe与晶体Pb(1-x)Sn_xTe的异质结,并讨论将其用作红外探测器的问题。
Amorphous semiconductors may become a new type of electronic material, which has aroused much attention recently. In applications, thin-film solar cells made of amorphous Si have been reported with a efficiency of 5.5%. This article describes the heterojunction of amorphous Ge or amorphous PbTe with crystalline Pb (1-x) Sn_xTe and discusses its use as an infrared detector.
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