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Ｙ离子注和主硅得到特性优良的硅化钇薄层。采用高深高分辨率的掠角背散射和掠角沟道技术分析了注入层结构。结果发现注入层是具有不同晶格畸变密度的三层结构：表面层为１００－１２０ｎｍ厚的连纽多晶硅化钇，对于注入束流密度为２５、５０μＡ／ｃｍ＾２的晶格畸变密度分别为２５％和５２％；中间层是高密度的缺陷区；底层是１２０ｎｍ厚的低密度晶格畸变区，其晶格畸变率从１８％下降至５％。