3C-SiC/Si（111）的掠入射X射线衍射研究

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【摘要】

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在衬底温度为1000℃条件下,利用固源分子束外延（SSMBE）技术在Si衬底上生长3C-SiC单晶薄膜.RHEED结果显示在Si（111）上所生长的SiC薄膜为3C-SiC,并与衬底的取向基本一致.采用同步辐

【作者】

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刘忠良刘金锋任鹏李锐鹏徐彭寿潘国强

【机构】

：

中国科学技术大学国家同步辐射实验室

【出处】

：

无机材料学报

【发表日期】

：

2008年5期

【关键词】

：

X射线衍射掠入射衍射硅碳化硅固源分子束外延 XRD GID Si SiC SSMBE

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在衬底温度为1000℃条件下,利用固源分子束外延（SSMBE）技术在Si衬底上生长3C-SiC单晶薄膜.RHEED结果显示在Si（111）上所生长的SiC薄膜为3C-SiC,并与衬底的取向基本一致.采用同步辐射掠入射X射线衍射（GID）技术并结合常规X射线衍射（XRD）研究了SiC薄膜内的应变和晶体质量.常规衍射的联动扫描曲线得到薄膜处于双轴张应变状态.3C-SiC薄膜和Si衬底的晶格失配和热膨胀系数失配是导致双轴张应变的原因.根据不同角度的掠入射衍射Phi扫描的摇摆曲线结果,发现薄膜晶体质量在远离SiC

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