3μm工艺MOS管模型参量的实验提取

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一、前言在LSI及VLSI设计中,利用CAD电路模拟进行辅助设计巳成为必不可少的手段。为了优化电路,精确控制电路的性能,希望CAD模拟结果尽量与实际电路的情况接近。为此,首先要用模型较精确的程序。SPICE-Ⅱ是目前国际上普遍采用的电路模拟程序。对MOS管来说,它有三种模型,其中MOS2较成熟,且在模型中考虑了小尺寸二级效应。因此,在现有 I. INTRODUCTION In LSI and VLSI design, the use of CAD circuit simulation to assist design has become an indispensable tool. In order to optimize the circuit and control the performance of the circuit accurately, we hope that the CAD simulation result will be as close to the actual circuit as possible. To this end, we must first use the model more accurate procedures. SPICE-Ⅱ is the commonly used circuit simulation program in the world. For the MOS transistor, it has three models, MOS2 is more mature, and in the model to consider the small size of the second-level effect. Therefore, existing
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