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用PECVD方法制备出高电导率(~0.2scm-1)、宽带隙(~2.2eV)的P型微晶化硅碳合金(p-μc-SiC:H)薄膜材料。利用p-μC-SiC:H/p-a-Si:H复合结构做a-Si太阳电池的窗口材料,明显改善了SnO2/p之间的接触特性,从而使10cm×10cm单结集成型电池的填充因子从0.70以下提高到0.72。