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对半绝缘GaAs晶片进行As^+注入，注入能量为400keV，剂量为10^16’cm^-2，用这种注入条件下的GaAs晶片作为吸收体和输出镜，在被动调Q闪光灯泵浦的Nd：YAG激光器上获得了62ns的单脉冲宽度，这是迄今为止国内最好的报道结果。
用离子注入GaAs晶片实现闪光灯泵浦Nd：YAG激光器中的被动调Q
【摘 要】
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对半绝缘GaAs晶片进行As^+注入，注入能量为400keV，剂量为10^16’cm^-2，用这种注入条件下的GaAs晶片作为吸收体和输出镜，在被动调Q闪光灯泵浦的Nd：YAG激光器上获得了62ns的单脉冲宽
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,北京工业大学数理学院
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2004年2期
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