宽带偏振不灵敏张应变InGaAs半导体放大器光开关

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：evermissxp

【摘要】

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研制了一种张应变准体InGaAs半导体放大器光开关．该结构具有显著的带填充效应，从而导致在80mA的注入电流下，器件的3dB光带宽大于85nm(1520～1609nm)．该带宽几乎同时全部覆盖了C带(1

【作者】

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王书荣刘志宏王圩朱洪亮张瑞英丁颖赵玲娟周帆王

【机构】

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中国科学院半导体研究所光电子研发中心北京100083

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

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2004年8期

【关键词】

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半导体放大器光开关宽带偏振不灵敏张应变准体InGaAs 光纤到光钎无损工作电流消光比 semiconductor optical amplifier g

【基金项目】

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国家重点基础研究发展规划 (批准号 :G2 0 0 0 0 683 -1),,国家自然科学基金 (批准号 :90 10 10 2 3 )资助项目~~

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研制了一种张应变准体InGaAs半导体放大器光开关．该结构具有显著的带填充效应，从而导致在80mA的注入电流下，器件的3dB光带宽大于85nm(1520～1609nm)．该带宽几乎同时全部覆盖了C带(1525～1565nm)和L带(1570～1610nm)．最为重要的是，在3dB光带范围内，光开关的偏振灵敏度小于0．7dB；光纤到光纤无损工作电流在70～90mA之间；消光比大于50dB．通过降低了载流子寿命，开关速度有所提高．在未来密集波分复用通信系统中，这种宽带偏振不灵敏半导体放大器光开关很有实用前景．

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