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解析地分析了在囚禁离子中由热库导致量子退相干的控制问题，提出了一个基于热库调制的抑制退相干的一般方法．热库的调制可利用外加的光场与离子相互作用来实现．应用这个方法，适当地选择热库调制参数，可以有效消除量子退相干．计算表明：在高的调制频率下，用这个机制来抑制退相干的效果与字称激励机制相似．宇称激励机制不仅要求外场是±π脉冲而且要求脉冲既快又强，而热库调制机制仅要求外场频率足够高，因此，热库调制机制优于宇称激励机制．