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文章采用日本产的ＣＮ１５１１８及扫描型双晶形貌测角仪直接拍摄了ＭＢＥ生长的Ｇａｌ－ｘＡＬｘＡｓ／ＧａＡｓ外延层和衬底层的形貌像，观察到面层中存在失配位错，单方向位错线晶面取向差等缺陷。并比较了生长温度对外延层质量的影响。
双晶形貌法观察Gal－xAlxAs／GaAs外延材料的内部缺陷
【摘 要】
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文章采用日本产的ＣＮ１５１１８及扫描型双晶形貌测角仪直接拍摄了ＭＢＥ生长的Ｇａｌ－ｘＡＬｘＡｓ／ＧａＡｓ外延层和衬底层的形貌像，观察到面层中存在失配位错，单方向位错线晶面取向差等缺陷。并比较了生长温度对外延层质量的
【机 构】
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吉林化工学院
【出 处】
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大学物理实验
【发表日期】
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1996年4期
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