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GaP纯绿发光二极管的近红外发光研究
GaP纯绿发光二极管的近红外发光研究
来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:qq3743
【摘 要】
:
本文测量了GaP纯绿发光二极管在室温和液氮温度下的近红外发光光谱,观测到许多重叠的宽带发光。按高斯线型对光谱进行拟合,将其分解为6个发光谱峰,讨论了这些深能级发光的来源和它们
【作 者】
:
赵家龙
高瑛
刘学彦
苏锡安
丁祖昌
毋必先
张松斌
【机 构】
:
中国科学院长春物理研究所,浙江大学物理系
【出 处】
:
发光学报
【发表日期】
:
1993年4期
【关键词】
:
近红外发光
发光二极管
磷化镓
near-infrared electroluminescence
deep level
light-emitting di
【基金项目】
:
国家自然科学基金,,中国科学院长春物理研究所激发态物理开放研究实验室基金
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本文测量了GaP纯绿发光二极管在室温和液氮温度下的近红外发光光谱,观测到许多重叠的宽带发光。按高斯线型对光谱进行拟合,将其分解为6个发光谱峰,讨论了这些深能级发光的来源和它们对GaP发光二极管的发光强度的影响。
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