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为解释发光二极管（LEDs）中的负电容（NC）现象，提出了在有源区与局部强复合效应有关的新模型，首次通过对载流子连续性方程的求解导出了NC的解析表达式。理论结果表明，在一定的范围内激活区载流子复合速率越大，LEDs中的NC效应越显著，这与实验结果完全一致。它表明，LEDs中的NC是由其激活区载流子复合引起的，而非外部原因造成。