【摘 要】
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制备了常规有机发光二极管ITO/NPD/Alq3/LiF/Al,测量了该器件发光的磁场效应.发现尽管在1 T范围内的磁场对发光层Alq3的光致发光没有影响,但磁场作用下器件的电致发光(MEL)却
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制备了常规有机发光二极管ITO/NPD/Alq3/LiF/Al,测量了该器件发光的磁场效应.发现尽管在1 T范围内的磁场对发光层Alq3的光致发光没有影响,但磁场作用下器件的电致发光(MEL)却呈现出明显的磁效应,且MEL与器件的偏压有很强的依赖关系:在小偏压时,随着磁场的增加MEL是单调递增,且在大小约为40 kA/m的磁场下达到饱和,之后即使磁场增大到约1 T的情况下也没有变化;但当偏压变大时,MEL则呈现先增加,在40 kA/m处达到峰值后却又减弱,而且偏压越大该MEL的减弱则越明显.对所观察到的实验结果进行了定形解释,即三线态激子相互淬灭产生单线态激子和三线态激子与器件中的非平衡载流子相互作用是此效应的物理机理.
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