论文部分内容阅读
本文描述采用淀积的多晶硅作为栅电极的绝缘栅场效应晶体管集成电路的工艺和特性。 在简单概述硅栅工艺特性后,将评述硅-二氧化硅-硅系统的某些基本性质,制作硅栅器件的制造步骤,以及得到的硅栅器件的电特性。以3705(带译码逻辑的8通道多路开关)为例,对硅栅工艺和标准MOS工艺进行了比较。 给出硅栅工艺的设计考虑和一些设计例子。