【摘 要】
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1 SiGe/Si基纳米结构对含有Ge和SiGe纳米岛（量子点）的硅基纳米结构的兴趣日益增长，可用它们新近发现的光敏性质和光发射性质来解释，特别是固溶体SiGe是制造中红外(3~5.5 μm)和
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1 SiGe/Si基纳米结构对含有Ge和SiGe纳米岛（量子点）的硅基纳米结构的兴趣日益增长，可用它们新近发现的光敏性质和光发射性质来解释，特别是固溶体SiGe是制造中红外(3~5.5 μm)和远红外(8~13μm)区探测器有前途的材料。改变SiGe的成分、厚度和掺杂程度，可以控制亚带内和亚?
Interest in silicon-based nanostructures containing Ge and SiGe nano-islands (QDs) is growing, as evidenced by their recently discovered photoluminescent properties and light-emitting properties. In particular, solid-solution SiGe is a precursor to the mid-infrared 3 ~ 5.5 μm) and far-infrared (8 ~ 13 μm) area detectors. Change the composition, thickness and doping of SiGe can control the sub-band and sub-band?
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