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利用快中子辐照在ｐ型硅片中产生辐照缺陷，利用其作为热处理时硅中氧沉淀的成核中心，在硅片表面层形成洁净区和在体内形成吸杂区，能有效地抑制硅片表面氧化雾缺陷的形成。提出了较为实用的退火工艺和简单的解释。
p型硅片表面氧化雾缺陷的吸除
【摘 要】
：
利用快中子辐照在ｐ型硅片中产生辐照缺陷，利用其作为热处理时硅中氧沉淀的成核中心，在硅片表面层形成洁净区和在体内形成吸杂区，能有效地抑制硅片表面氧化雾缺陷的形成。提出了较
【机 构】
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河北工学院材料研究中心,河北工学院材料研究中心天津300130,天津300130
【出 处】
：
电子科学学刊
【发表日期】
：
1993年5期
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