隧道二极管及其微波放大和振荡(上)

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一、引言隧道二极管是一种新型的半导体器件,它的工作机理是依赖于电子穿透窄p-n结禁带的量子隧道机构而完成的.这种高掺杂的突变型p-n结二极管,在施以反向直流偏压时电流很快地增加;在小的正向直流偏压下具有微分负阻.其伏安特性曲线如图1所示.利用负阻效应可以组成放大器、振荡器、变频器、 I. INTRODUCTION Tunnel diode is a new type of semiconductor device whose working mechanism depends on the quantum tunneling mechanism that the electron penetrates the narrow pn junction forbidden band. This highly doped mutant pn junction diode, The reverse current DC bias current increases rapidly; in the small positive DC bias with a differential negative resistance of the volt-ampere characteristic curve shown in Figure 1. The use of negative resistance effect can be composed of amplifiers, oscillators, variable frequency Device,
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