【摘 要】
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通过Au-3.5%Si(Au-3.5Si)和Au-2%Si(Au-2Si)对芯片粘结有影响的主要性能(接触电阻、焊接性能)的比较,认为芯片粘结用Au-3.5%Si(或共晶点成份)为好.在芯片粘结冷却后,不仅形成
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通过Au-3.5%Si(Au-3.5Si)和Au-2%Si(Au-2Si)对芯片粘结有影响的主要性能(接触电阻、焊接性能)的比较,认为芯片粘结用Au-3.5%Si(或共晶点成份)为好.在芯片粘结冷却后,不仅形成Au、Si原始相,还会有Au_7Si、Au_5Si、Au_3Si化合物相形成.
The comparison of the main performance (contact resistance, soldering performance) that affects the die bonding by Au-3.5% Si (Au-3.5Si) and Au-2% Si (Au-2Si) % Si (or eutectic point component) is good.After the chip bonding and cooling, not only the formation of Au, Si original phase, there will be Au_7Si, Au_5Si, Au_3Si compound phase.
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