The property of Si/SiGe/Si heterostructure during thermal budget characterized by HRXRD

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Si/SiGe/Si heterostructures grown by ultra-high-vacuum chemical vapor deposition (UHVCVD) werecharacterized by Rutherford backscattering/Channeling (RBS/C) together with high resolution X ray diffraction(HRXRD). High quality SiGe base layer was obtained.
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