【摘 要】
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对HgInTe（MIT）晶片表面化学抛光工艺进行了研究，采用不同浓度的Br2-C3H7ON以及Br2-MeOH作为抛光液对MIT晶片进行化学抛光后发现，5%Br2-C3H7ON抛光液的抛光速度平稳且易于控制，抛光
【机 构】
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西北工业大学凝固技术国家重点实验室
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对HgInTe（MIT）晶片表面化学抛光工艺进行了研究，采用不同浓度的Br2-C3H7ON以及Br2-MeOH作为抛光液对MIT晶片进行化学抛光后发现，5%Br2-C3H7ON抛光液的抛光速度平稳且易于控制，抛光3min后可以有效去除表面划痕，获得光亮表面，表面形貌达到最佳效果。AFM分析结果表明，5%Br2-C3H7ON抛光后的晶片表面粗糙度降低67%，平整度显著增加。相比之下，5%Br2-MeOH抛光液抛光速度过快，抛光后的表面形貌较差。
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