【摘 要】
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对HgInTe(MIT)晶片表面化学抛光工艺进行了研究,采用不同浓度的Br2-C3H7ON以及Br2-MeOH作为抛光液对MIT晶片进行化学抛光后发现,5%Br2-C3H7ON抛光液的抛光速度平稳且易于控制,抛光
【机 构】
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西北工业大学凝固技术国家重点实验室
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对HgInTe(MIT)晶片表面化学抛光工艺进行了研究,采用不同浓度的Br2-C3H7ON以及Br2-MeOH作为抛光液对MIT晶片进行化学抛光后发现,5%Br2-C3H7ON抛光液的抛光速度平稳且易于控制,抛光3min后可以有效去除表面划痕,获得光亮表面,表面形貌达到最佳效果。AFM分析结果表明,5%Br2-C3H7ON抛光后的晶片表面粗糙度降低67%,平整度显著增加。相比之下,5%Br2-MeOH抛光液抛光速度过快,抛光后的表面形貌较差。
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