利用垂直Bridgman法生长了HginTe单晶体，并采用X射线衍射分析、FT—IR光谱分析对晶体的形态结构及红外透过性能进行了检测，结果表明......

对HgInTe（MIT）晶片表面化学抛光工艺进行了研究，采用不同浓度的Br2-C3H7ON以及Br2-MeOH作为抛光液对MIT晶片进行化学抛光后发现，5%Br2-......

以高纯Hg、In、Te单质为原料，在摇摆合料炉中成功地合成了HgInTe多晶原料，并且利用该多晶原料，在特殊设计的坩埚中，成功地生长了HgInTe......