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用卤素钨灯作辐射热源快速热氮化（RTN）10nmSiO2膜，制备了＜100＞和＜111＞晶向Si衬底上的Si-SiOxNy－Al电容结构，研究了电子从＜100＞和＜111＞不同晶向N型硅积累层到RTN后SiO2膜（或原始SiO2膜）的漏电流和高场F－N隧穿电流。研究结果表明：经RTN SiO2膜化原始SiO2膜从低场到隧穿电场范围都明显地看到电导增强现象，比较RTN后两种不同晶向样品，低场漏电流没有多大的差别而在高场从＜100＞晶向比从＜111＞晶向Si隧穿SiOxNy膜的F－N电流却明显增加，借用一种