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本文提出了一个新的深亚微米ＭＯＳＦＥＴ模型，它计入了影响深亚微米器件工作的各种二级物理效应。模型采用一个统一的公式描述所有的器件工作区，可以保证无穷阶连续不仅适用于数字电路，而且可用于模拟电路的设计，模型计算的结果与实测器件的结果十分一致。
一个用于深亚微米电路模拟的MOSFET解析模型
【摘 要】
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本文提出了一个新的深亚微米ＭＯＳＦＥＴ模型，它计入了影响深亚微米器件工作的各种二级物理效应。模型采用一个统一的公式描述所有的器件工作区，可以保证无穷阶连续不仅适用于数字电路，而且
【机 构】
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清华大学微电子所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1999年2期
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