【摘 要】
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本文提出了一种新型HMOS-SRAM读出放大器(S/A).它是由一对源跟随器交叉反馈所组成.通过精确控制上下管的尺寸比,使它处于临界触发状态.理论和实验证明,这种电路具有高灵敏度,
【机 构】
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清华大学微电子学研究所,清华大学微电子学研究所,清华大学微电子学研究所,清华大学微电子学研究所
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本文提出了一种新型HMOS-SRAM读出放大器(S/A).它是由一对源跟随器交叉反馈所组成.通过精确控制上下管的尺寸比,使它处于临界触发状态.理论和实验证明,这种电路具有高灵敏度,宽共模范围以及低输出共模电平等优点.试用于SRAM,得到很好的结果.
In this paper, a novel HMOS-SRAM sense amplifier (S / A) is proposed, which consists of a cross-feedback of a pair of source followers, which is controlled to a critical trigger by precisely controlling the size ratio of the upper and lower tubes. Proved that this circuit has the advantages of high sensitivity, wide common-mode range and low output common-mode level, etc. Trying on SRAM, get good results.
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