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利用不同的电极材料和制备方法制备了3种M／HgI2。采用热电子发射模型计算了相应的接触势垒。采用比接触电阻法、电极系数法和欧姆系数法对比了M／HgI2的欧姆接触特性。结果表明，C／HgI2、AuCI3／HgI2和Au／HgI2的接触势垒均约为0．9eV；C／HgI2和AuCl3／HgI2具有良好的欧姆特性，Au／HgI2的欧姆特性相对较差。分析认为，HgI2晶体表面费米能级的钉扎导致了相近的接触势垒。但由于电极制备工艺没有显著影响AuCl3／HgI2和C／HgI2晶体表面质量，因而具有良好的欧姆接触特性。