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阐述了利用离子束刻蚀技术制作微光学阵列元件的工艺条件，研究和实验结果表明，通过光刻热熔法制作的光致抗蚀剂掩模图形经具有不同能量的离子束刻蚀后可以有效地现役中衬底材料上所作的选择性转移，所作的理论分析结果为非球面微光学阵列元件的制作提供了一条可行的技术途径。
微光学阵列元件离子束刻蚀制作的分析与讨论
【摘 要】
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阐述了利用离子束刻蚀技术制作微光学阵列元件的工艺条件，研究和实验结果表明，通过光刻热熔法制作的光致抗蚀剂掩模图形经具有不同能量的离子束刻蚀后可以有效地现役中衬底材料
【机 构】
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华中理工大学光电子工程系
【出 处】
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华中理工大学学报
【发表日期】
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1998年A02期
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