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在位错密度不同的ＬＥＣ半绝缘（ＳＩ）ＧａＡｓ衬底上离子注入制做ＭＥＳＦＥＴｓ，观察衬度位错对ＭＥＳＦＥＴｓ旁栅效应的影响，结果表明，衬底中高位错密度可以抑制旁栅效应。
半绝缘GaAs衬底中位错对MESFETs旁栅效应的影响
【摘 要】
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在位错密度不同的ＬＥＣ半绝缘（ＳＩ）ＧａＡｓ衬底上离子注入制做ＭＥＳＦＥＴｓ，观察衬度位错对ＭＥＳＦＥＴｓ旁栅效应的影响，结果表明，衬底中高位错密度可以抑制旁栅效应。
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,电子部十三所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1997年7期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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