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我们拟采用最基本参数，饱和时间常数，和与此相关的半导体物理机理来分析双多晶硅自对准结构双极型晶体管工作于饱和的行为。全文分上、下二篇分别发表。本文为上篇，文中给出了在基区中正态模和逆向模的涉动电流和存贮电荷以及收集极外延层中的涉动电流和存贮电荷的解析分析；把它们表示成收集极传导电流Ｉｃ和收集极与基极之间电位差ＶＣＢ的函数。为在下篇中提出一个严格的解析模型提供理论基础。