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利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）对电子辐照区熔硅中多稳态缺陷进行研究的结果表明，经２ｈ１０００℃温度退火后，观测到在Ｅｃ－０．４４ｅＶ能级中的多稳组态由４０％减少到１０％左右。这一实验结果为稳态缺陷不是Ｐｓ－Ｃｉ结构，而是Ｅ中心自身在晶场应力下显示稳态特性的设相提供了有说服力的证明。
热处理对电子辐照硅中多稳态缺陷的影响
【摘 要】
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利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）对电子辐照区熔硅中多稳态缺陷进行研究的结果表明，经２ｈ１０００℃温度退火后，观测到在Ｅｃ－０．４４ｅＶ能级中的多稳组态由４０％减少到１０％左右。这一实验结果为稳态缺陷不是Ｐｓ－Ｃｉ结构，而是Ｅ中心自身在晶
【出 处】
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四川大学学报：自然科学版
【发表日期】
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1994年3期
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