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对GaAs／AlxGa1-xAs单异质结系统引入三角势近似异质结势，同时考虑体纵光学(L0)声子和有效近似下两支界面光学(10)声子的影响，采用变分法讨论了外界恒定磁场对束缚于近界面杂质的光学极化子结合能的影响．利用改进的Lee-Low-Pines(LLP)中间耦合方法处理电子-声子和杂质-声子的相互作用，计算了杂质态结合能随杂质位置、磁场强度、电子面密度的变化关系．结果表明，极化子结合能随磁场呈现增加的趋势，其中LO声子对结合能的负贡献受磁场影响显著，而10声子的负贡献受磁场的影响并不明显，但当杂质靠近