【摘 要】
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为改善中、低压电力电子设备中开关器件的性能，给出了一种功率变换器的PowerMOS·FET开关电路模型。其PowerMOSFET的功率损耗主要由导通损耗和开关损耗构成，由此推导了功率
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为改善中、低压电力电子设备中开关器件的性能，给出了一种功率变换器的PowerMOS·FET开关电路模型。其PowerMOSFET的功率损耗主要由导通损耗和开关损耗构成，由此推导了功率变换器主电路中PowerMOSFET的损耗计算公式，并根据实验波形的计算，得到PowerMOS—FET的功率损耗。得到的计算结果表明：当开关频率较大时，开关损耗是PowerMOSFET功率损耗的主要部分。
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