低k电介质及其设备

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低k电介质、Cu互连和CMP已成为90/65/45nm芯片制造的标准工艺。90nm工艺要求k=3.0~2.9,65nm工艺要求k=2.8~2.7,45nm工艺要求k=2.6~2.5,大多采用2.5多孔的低k电介质,如TI、台积电。对于22nm工艺,可能采用碳纳米管(CNT)替代Cu互连。
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