【摘 要】
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采用直流磁控溅射和后退火工艺在掺氟的SnO2（FTO）导电玻璃衬底上制备VO2薄膜,研究了不同退火时间和不同比例的氮氧气氛对VO2薄膜性能的影响,对VO2薄膜的结晶取向、表面形貌、表
【机 构】
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上海理工大学光电信息与计算机工程学院,上海市现代光学系统重点实验室,上海电力学院电子与信息工程学院
【基金项目】
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国家高技术研究发展计划“863”计划（批准号：2006AA032348）、教育部科学技术研究重点项目（批准号：207033）、上海市科学技术委员会科技攻关计划（批准号：06DZ11415）、上海市教育委员会科技创新重点项目（批准号：10ZZ94）和上海领军人才培养计划资助项目（批准号：2011-026）资助的课题.
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采用直流磁控溅射和后退火工艺在掺氟的SnO2（FTO）导电玻璃衬底上制备VO2薄膜,研究了不同退火时间和不同比例的氮氧气氛对VO2薄膜性能的影响,对VO2薄膜的结晶取向、表面形貌、表面元素的相对含量和透过率随波长变化进行了测试分析,结果表明在最佳工艺条件下制备得到了组分相对单一的VO2薄膜.基于FTO/VO2/FTO结构在VO2薄膜两侧的透明导电膜上施加电压并达到阈值电压时,观察到了明显的电流突变.当接触面积为3 mm ×3 mm时,阈值电压为1.7 V,阈值电压随接触面积的增大而增大.与不加电
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