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提出并设计了一种新的PIN型0.95μm光探测器。它的I层是Ge0.3Si0.7(8nm)/Si(12 nm),共50个周期。上、下缓冲层厚各为0.1μm,n+-Si(1020Cm-3厚约0.5μm,衬底为〈100〉P+-Si,器件面积为4mm2。这种探测器一旦实现,它对0.95μm光的灵敏度比硅PIN型探测器高得多,可用于火灾报警等场合。更多还原