【摘 要】
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对加固型 CC40 0 7NMOS器件进行了低温 ( - 30°C)和室温 ( 2 5°C) γ射线辐射实验、不同剂量率下的γ辐射实验以及不同温度下的退火实验。根据实验结果 ,利用归一化迁移率
【机 构】
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对加固型 CC40 0 7NMOS器件进行了低温 ( - 30°C)和室温 ( 2 5°C) γ射线辐射实验、不同剂量率下的γ辐射实验以及不同温度下的退火实验。根据实验结果 ,利用归一化迁移率与界面态电荷的机理模型 ,分析了辐射环境温度、辐射剂量率以及退火温度对 NMOS器件迁移率的影响。
The CC50 7NMOS devices were subjected to γ-ray irradiation at low temperature (-30 ° C) and room temperature (25 ° C), γ radiation at different dose rates and annealing experiments at different temperatures. According to the experimental results, the effects of the radiation ambient temperature, the radiation dose rate and the annealing temperature on the mobility of the NMOS devices are analyzed using the mechanism model of the normalized mobility and the interface state charge.
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